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專注半導體器件技術創新
GreenMOS
GreenMOS
GreenMOS系列高壓MOSFET產品具有比常規超級結MOSFET產品更快的開關速度和更柔和的開關曲線,可以極大的簡化系統EMI設計、提高系統效率并降低系統發熱量。
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SGTMOS
SGTMOS
SFGMOS系列MOSFET產品采用半浮柵結構,兼備了傳統平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優點,并具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優點。
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IGBT
IGBT
東微計劃推出高速系列、低Vcesat系列、RC系列等IGBT產品,涵蓋650V~1700V電壓,可廣泛應用于白色家電、新能源逆變器、汽車驅動等領域。
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GreenMOS,SGTMOS,IGBT
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新聞
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企業資訊和行業動態
2025/10/21
東微半導體與晶湛半導體攜手推進12英寸氮化鎵(GaN)功率器件研發和應用
2025/06/10
成功入選上證智選科創板創新價值指數成分股
2024/12/09
東微半導再次通過高新技術企業認定!
2024/11/29
實力認可!東微半導榮譽榜單再添新彩
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